Le memorie NAND sono sempre più richieste, sopratutto nel settore dei dispositivi mobili, smartphone su tutti. Tale situazione sta portando i produttori a migliorare i processi produttivi. A tal proposito arrivano dalla Corea del Sud interessanti novità che potrebbero riguardare i prossimi iPhone.
SK Hynix, colosso sud-coreano produttore di memorie, ha da poco annunciato i primi chip NAND 3D a 72 strati. Questi hanno una capacità di 256 gigabit, ovvero 32GB, e garantiscono una velocità delle operazioni decisamente più alta rispetto alla generazione precedente, quella a 48 strati.
Le memorie NAND su iPhone 7 e iPhone 7 Plus sono prodotte da Toshiba e SK Hynix, con alcuni modelli di iPhone 7 che utilizzano i chip a 48 strati NAND BiCS 3D, in precedenza mai utilizzati su un prodotto commerciale.
È stato scoperto che le prestazioni della memoria flash sugli iPhone 7 da 32GB sono inferiori rispetto a quelle utilizzate sui modelli da 128GB (rispettivamente 656 Mbps e 856 Mbps nella lettura dei dati). La differenza è ancora più evidente quando si parla delle prestazioni in fase di scrittura: 42 Mpbs per la versione da 32GB, 341 Mbps per la versione da 128GB.
La differenza è attribuita alla tecnologia NAND BiCS 3D di Toshiba utilizzata sui modelli di iPhone 7 da 128GB. I chip flash di Toshiba e SK Hynix utilizzati sulla linea iPhone 7 sono fabbricati tramite il processo di produzione a 15-nanometri.
SK Hynix inizierà a produrre le nuove NAND a 72 strati nel secondo semestre del 2017.
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