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Innovazioni sulla memoria flash potrebbero portare ad una migliore conservazione dei dati

La NAND, utilizzata per realizzare la maggior parte delle memorie digitali attualmente in commercio, ha molti punti di forza ma purtroppo pecca ancora in qualcosa. Ecco come gli ingegneri taiwanesi sono riusciti a migliorare le sue prestazioni.


Nonostante la NAND sia molto più veloce rispetto ai tradizionali hard disk, ha ancora alcuni limiti.

Anzitutto la memoria flash NAND, generalmente, funziona bene per circa 10.000 cicli di lettura e scrittura prima che possa guastarsi. Dal piano Macronix, gli ingegneri taiwanesi hanno annunciato nel loro meeting IEEE  International Electron Devices del 2012 che sono riusciti finalmente a trovare un modo per poter migliorare la memoria flash NAND; hanno così permesso di passare dai precedenti 10.000 cicli di lettura/scrittura ai ben 100 milioni di cicli grazie ad un processo di cosidetta “auto guarigione”. Il risultato finale al quale si è arrivati, è un chip riscrivibile per più e più volte, anche quando dovrebbe teoricamente guastarsi.

Purtroppo, per quanto la Macronix stia dando promettenti segni di svolta in questo settore, non è stata rilasciata alcuna notizia che concerne la commercializzazione di questi prodotti.

Via | BGR

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