Apple potrebbe cambiare il tipo di memoria flash utilizzata nei suoi modelli di iPhone 16 con capacità maggiori, prendendo in considerazione l’uso di una NAND Quad-Level Cell (QLC) più densa ma potenzialmente più lenta.
La società di Cupertino e altri produttori di smartphone hanno progressivamente aumentato la quantità di memoria dei loro prodotti, ma ciò ha un impatto sul costo dell’hardware. Ora, sembra che Apple stia valutando un’opzione di memoria più economica.
Il cambiamento potrebbe portare Apple a passare dall’uso di NAND flash Triple-Level Cell (TLC) a NAND flash Quad-Level Cell (QLC) per i modelli con una capacità di archiviazione di 1TB o più, secondo quanto riferito da fonti dell’industria a DigiTimes.
La NAND QLC offre un vantaggio rispetto alla TLC in quanto può memorizzare quattro bit di dati per cella di memoria, anziché tre. Ciò consente alla NAND QLC di immagazzinare più dati rispetto alla TLC utilizzando lo stesso numero di celle, o capacità comparative con meno celle. Questo, in teoria, riduce il costo di produzione.
Tuttavia, la NAND QLC presenta alcuni svantaggi. È considerata meno affidabile della TLC, con una resistenza ridotta alla scrittura dei dati a causa del maggior numero di scritture per cella, dato che ogni cella contiene un bit in più.
Questo è possibile utilizzando 16 diversi livelli di carica rispetto agli otto usati dalla TLC. Avere più livelli di carica e margini ridotti nella lettura dei dati introduce la possibilità di aumentare gli errori di bit a causa del maggior rumore.
Se Apple dovesse procedere con questo piano, ciò significherebbe che gli utenti di iPhone 16 con 1TB di memoria potrebbero riscontrare velocità di scrittura dei dati più lente rispetto a quelle con capacità inferiori. Questo, a sua volta, potrebbe ridurre alcuni elementi delle prestazioni per gli utenti con elevate esigenze di archiviazione.
La differenza di prestazioni potrebbe non essere considerata abbastanza significativa da essere un problema. Ad esempio, un SSD disponibile sul mercato potrebbe offrire velocità di scrittura di 550 MB/s con memorizzazione flash TLC quando la cache ad alta velocità è piena, mentre una versione TLC comparabile potrebbe raggiungere 450 MB/s o 500 MB/s.
Questa differenza è di maggiore preoccupazione per un computer da lavoro, piuttosto che per un dispositivo mobile. Le scritture flash nei dispositivi mobili tendono ad essere a raffiche, piuttosto che sostenute come in un computer da lavoro.
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