Notizie

Il prossimo iPhone 7 potrebbe essere dotato di una memoria flash UFS 2.0

Una componente chiave del  Galaxy S7 è la nuova memoria flash UFS (ultra-fast Universal Flash Storage)  che è in grado di offrire velocità migliori rispetto a soluzioni di memoria tipiche utilizzate in smartphone e altri computer.

UFS

L’archiviazione UFS migliorerebbe in modo significativo le prestazioni dei nuovi iPhone rispetto agli attuali chip , infatti come abbiamo avuto modo di vedere Samsung tornerà a fornire componenti NAND per i prossimi iPhone, ETNews in nuovo rapporto afferma che Samsung sta attualmente lavorando per creare una schermatura EMI per i chip, il che significa che la fornitura di memoria per gli iPhone potrebbe essere pronta a partire dal prossimo anno. Magari il nuovo iPhone 7 o iPhone 7S potrebbero già essere dotati della nuova memoria flash UFS 2.0.

Via | BGR

Utilizziamo Link di Affiliazione Amazon che generano commissioni. Scopri cosa significa.

Se hai trovato interessante questo articolo, condividilo e fallo leggere anche ai tuoi amici:

Back to top button

Stai utilizzando un AdBlocker


iSpazio è un portale gratuito, supportato da Pubblicità. Non faremo mai pagare i nostri utenti per leggere le Notizie.

Le pubblicità su questo Blog non sono mai state di tipo invasivo e sono davvero poche, posizionate in maniera tale da non arrecare disturbo. Qui NON TROVERAI MAI Pubblicità Video, Pubblicità con riproduzione automatica oppure Pubblicità che si sovrappongono allo schermo!

Per tutti questi motivi, ti invitiamo a disattivare il tuo AdBlocker soltanto su questo sito per continuare la navigazione. Grazie di cuore!